在了解5V单片（piàn）机（jī）驱动（dòng）mos管电路之前，先了解一下单（dān）片机（jī）驱动mos管电路图（tú）及原（yuán）理，单片机驱动mos管电路主要根据MOS管要驱（qū）动什么东西，要（yào）只是一个（gè）继电器（qì）之类的小负载（zǎi）的话（huà）直接用51的引脚驱动就可以，要注意电感类（lèi）负载（zǎi）要加保护二（èr）极管和吸收缓冲，最好用（yòng）N沟道的MOS。

如果驱动的东西(功率)很大，(大电（diàn）流、大电压的（de）场合)，最好要做电气隔离、过流超压保护、温度保护等……此时既要隔离传送控制信号(例（lì）如PWM信号（hào）)，也要给驱动级(MOS管的（de）推动（dòng）电路)传送电（diàn）能（néng）。常用（yòng）的信号传送有PC923 PC929 6N137 TL521等至于电能的传送可（kě）以用DC-DC模块。如果是做产品的话建议自己搞一个建议的DC-DC，这样可以降低成（chéng）本。然后（hòu）MOS管有一种简单的驱（qū）动方式:2SC1815+2SA1015，NPN与PNP一个用于MOS开（kāi）启驱动，一个用于MOS快速关断（duàn）。
图一：适合开（kāi）关频率不高的场合，一般低于2KHz。

其（qí）中R1=10K，R2、R3大小由（yóu）V+决定，V+越高，R2、R3越大（dà），以保证（zhèng）电阻及三极管功耗（hào）在允许范围，同（tóng）时（shí）保证R2和R3的分压VPP=V+ 减（jiǎn）10V，同时V+不能（néng）大于40V。

补充：图（tú）二：适合高频大功率场合，到达100KHz没问题，同时可以并联多个MOSFET-P管

R2、R3需要满足和图（tú）一一（yī）样的条件（jiàn），其（qí）实就（jiù）是图一加了级（jí）推挽，这（zhè）样就（jiù）可以保证MOSFET管高速开关，上面6P小电容（róng）是发射结结（jié）电容（róng）补偿电容（róng），可以改善三极管高速开关特性。

另外：MOSFET的栅极电容较（jiào）大，在使（shǐ）用的时候应（yīng）该把（bǎ）它当成（chéng）一个容抗负载来看。

MOS管（guǎn）驱动（dòng）电路

在使用MOS管（guǎn）设（shè）计开（kāi）关电（diàn）源或者马（mǎ）达驱（qū）动（dòng）电（diàn）路的时候（hòu），大部分人都会考虑（lǜ）MOS的导通电阻，最大电（diàn）压等，最大电流（liú）等，也有很（hěn）多人仅仅考虑这些因素。这样的电（diàn）路也许（xǔ）是（shì）可（kě）以工作的，但（dàn）并不是优秀的，作（zuò）为正式的产（chǎn）品设计也是不允许的（de）。

MOS管导通特性

导通的意思是（shì）作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性：Vgs大于一定的值（zhí）就会导通（tōng），适合用于源极接地时的情况（kuàng）(低端（duān）驱动（dòng）)，只要栅极电（diàn）压达到4V或（huò）10V就（jiù）可以了（le）。PMOS的特性：Vgs小于一定的值就会（huì）导通，适合（hé）用于源（yuán）极接VCC时的（de）情况(高端驱动)。但是（shì），虽然PMOS可以很方便地用作（zuò）高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换（huàn）种类少等原（yuán）因，在高端（duān）驱动中，通常还是使用NMOS。

MOS开关管损失

MOS管驱动电路（lù）不管是NMOS还是（shì）PMOS，导通后（hòu）都（dōu）有导通电阻存在，这（zhè）样电流就会（huì）在这（zhè）个电阻上消耗能量，这部分消耗的（de）能量（liàng）叫做导通损耗。选择导通电阻小（xiǎo）的MOS管会（huì）减小导通（tōng）损耗。现在的（de）小功率MOS管导通（tōng）电（diàn）阻（zǔ）一般在几十毫欧左右，几（jǐ）毫欧的也有。

MOS在导（dǎo）通和截（jié）止的时候，一定（dìng）不是在瞬间完（wán）成的。MOS两端的（de）电压有一个下降的过程（chéng），流过的电流有一（yī）个上升的过程，在这段时间内（nèi），MOS管的损失（shī）是电压和（hé）电流的乘积，叫做开关损失。通常开（kāi）关损失比导通（tōng）损失大得（dé）多，而且开关频率（lǜ）越（yuè）快，损失也越大（dà）。

导通（tōng）瞬（shùn）间电（diàn）压和电流的乘积（jī）很大，造成的损失也就很大。缩短（duǎn）开关时（shí）间，可（kě）以减（jiǎn）小每次导（dǎo）通（tōng）时（shí）的损失;降（jiàng）低（dī）开关（guān）频率，可以减小单位时间内（nèi）的开关次（cì）数。这两种办法都可以减小开关损失。

MOS管驱（qū）动

跟双极性晶体（tǐ）管相比，一般认为使MOS管（guǎn）导通不需要电流，只要（yào）GS电（diàn）压（yā）高于一定的值，就可以了。这个很容易做到（dào），但（dàn）是，我们还（hái）需要速度。在MOS管的结构中可以看（kàn）到，在GS，GD之间（jiān）存在寄生电容，而（ér）MOS管的驱动，实（shí）际上就是对电容的充放电。对电容（róng）的充电需要（yào）一个电（diàn）流，因为（wéi）对电容（róng）充电瞬（shùn）间可以把电容（róng）看（kàn）成短路（lù），所以瞬间电流（liú）会比较大。选择/设计MOS管驱动时第一要（yào）注意的是可提供瞬（shùn）间（jiān）短路电流的大小。

MOS管驱动电路（lù）第二注（zhù）意（yì）的（de）是，普遍（biàn）用于高端驱动的NMOS，导通时需要是（shì）栅极（jí）电压大于（yú）源极电压（yā）。而高端驱动的MOS管导通（tōng）时源极电（diàn）压（yā）与漏极电压（yā）(VCC)相（xiàng）同，所以这时栅（shān）极电（diàn）压要（yào）比VCC大4V或10V。如果在同一（yī）个系统（tǒng）里，要得到（dào）比（bǐ）VCC大（dà）的电压，就要专（zhuān）门的（de）升压电路了。很多马达驱动（dòng）器都集成了（le）电荷泵，要（yào）注（zhù）意的是应该 选择合适的外（wài）接电容，以得到足够的短路电流去驱（qū）动MOS管。

上边说的4V或10V是常用的MOS管的导通电压，设计时当然需要有一定的余量。而且电压越高，导通速度越快（kuài），导通电（diàn）阻也越小。现在也有导通电（diàn）压更小的MOS管用在不同的（de）领（lǐng）域（yù）里，但在12V汽车电子系（xì）统里，一（yī）般4V导通就够用（yòng）了（le）。MOS管（guǎn）的（de）驱动电路及其（qí）损失，可以参考Microchip公（gōng）司（sī）的（de）AN799 Matching MOSFET Drivers toMOSFETS。讲（jiǎng）述得很详细，所以不打（dǎ）算多写（xiě）了。

MOS管（guǎn）应用电（diàn）路（lù）

MOS管最显著的特性是开（kāi）关特性好，所以被广泛应（yīng）用在需要电（diàn）子（zǐ）开关的电路中，常见的（de）如开关电（diàn）源和（hé）马达驱动，也（yě）有照明（míng）调光。

二、现（xiàn）在（zài）的MOS驱动，有几（jǐ）个特别的应（yīng）用：

1、低压应用当使用（yòng）5V电源，由于三极管（guǎn）的be有0.7V左右的压降，导（dǎo）致（zhì）实际最（zuì）终加在gate上的电压（yā）只有4.3V。这时候，我（wǒ）们选（xuǎn）用标称gate电压4.5V的MOS管（guǎn）就存在一定的风险。同样的问题也发生在使（shǐ）用3V或者（zhě）其他低压（yā）电（diàn）源的场合。

2、宽电压应（yīng）用（yòng）输入电压并不（bú）是一个固定值（zhí），它会（huì）随着时（shí）间或者其他因素而变动。这个变动导（dǎo）致（zhì）PWM电路提供（gòng）给MOS管的驱动（dòng）电压是不稳（wěn）定的。为了让（ràng）MOS管在高（gāo）gate电（diàn）压下（xià）安全，很多MOS管（guǎn）内置了稳（wěn）压管（guǎn）强（qiáng）行限制gate电压的幅值。在（zài）这种情况下，当提供的驱动电（diàn）压（yā）超过稳压管（guǎn）的电压（yā），就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻（zǔ）分压的原理（lǐ）降低gate电压（yā），就会出现输（shū）入电（diàn）压（yā）比较高的时候（hòu），MOS管工作良好，而输入（rù）电压（yā）降低的时（shí）候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功（gōng）耗。

3、双电压应（yīng）用在一些控制电（diàn）路（lù）中，逻辑（jí）部分使用（yòng）典型的（de）5V或者3.3V数字电压，而功率部（bù）分使用12V甚至更高的电压（yā）。两个（gè）电压采（cǎi）用共地方式连接。MOS管驱动电路。这就（jiù）提出一个要求，需要使用一个电路（lù），让（ràng）低压侧能够有效的控制高压侧的MOS管，同时高压侧的MOS管也同（tóng）样（yàng）会（huì）面（miàn）对1和2中提到的问题。